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MJ11012G PDF下载
- 大小：116K
- 厂家：ON Semiconductor
- 描述： TRANSISTOR; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:30A; DC Current Gain hFE:1000; Transistor Case Style:TO-3; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:3V; Current Ic Continuous a Max:30A; Hfe Min:1000; Package / Case:TO-3; Power Dissipation Pd:200W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:
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